由于库存过多，今年NAND Flash产品价格下跌趋势难以扭转，但跌幅可能会收窄。
近期，价格持续走低的NAND Flash（闪存芯片）市场突然遭遇行业变革。
7月初，日本经济产业省宣布，日本将限制向韩国出口三类半导体和OLED材料。 7月4日起，含氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯氟化氢等三种材料将被限制向韩国出口。
其中，光刻胶与NAND Flash等存储芯片的生产制造相关。有手机从业者曾向记者表示，存储已经超越屏幕和CPU，成为手机最大的成本。手机中存储的成本已经达到25%-35%，可见其重要性。
另一方面，6月底，东芝NAND Flash工厂突然断电13分钟，至今尚未恢复正常运营。这些因素都会对NAND Flash后续的产能和价格产生影响，因此也有传言称未来NAND Flash的价格将会上涨。
但业内人士表示，虽然跌幅可能收窄，但价格下滑的趋势难以改变。集邦咨询研究员陈杰伟对21世纪经济报道记者表示：预计2019年NAND ASP将下滑40%。
闪存市场的两件意外事件
具体来说，一方面，日本对韩国的半导体出口更加严格。自7月4日起，韩国最惠国待遇被取消。对含氟聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三类半导体材料的出口限制由原来的免申请出口许可证改为个案审查，相关审查流程最长需要90个工作日。
据新华社报道，日本政府7月9日拒绝了韩国的谈判提议，并重申不打算解除对韩国半导体产业原材料出口的限制。日本经济产业大臣世耕弘成9日结束内阁会议后对记者表示：“对韩国的出口限制是没有谈判余地的，我们没有撤回(管制措施)的计划。”
随着日韩贸易摩擦加剧，韩国半导体产业受到冲击。对于韩国主要存储厂商来说，光刻胶的影响最大。
据了解，光刻技术是芯片制造中的重要工艺，而光刻胶是实现光刻技术的关键材料。它是涂覆在半导体基板上的感光剂，约占芯片制造成本的7%。在光刻胶上游领域，日本企业占据垄断地位。
在NAND Flash市场，主要厂商有三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士、英特尔等，其中三星阵营和东芝阵营占据市场半壁江山。日本断供还将影响韩国三星和SK海力士的NAND Flash芯片制造，导致减产。
为了应对这种情况，业内也有报道称海力士正在与英特尔谈判或收购大连工厂和3D NAND业务以补充产能。此外，韩国产业通商资源部提出了加强韩国国内供应链的复兴战略。预计从2021年起将投入6万亿韩元（约合51亿美元）的预算用于半导体材料、零部件和设备的研发。
另一方面，东芝6月份遭遇停电。五家工厂未能幸免，尚未完全恢复。这也影响了NAND Flash的产能。受伤的工厂还包括东芝和西部数据的合资工厂。西部数据公开表示大约6 ExaByte？ （EB）产能受到影响。
陈杰伟告诉记者，东芝NAND Flash产能受影响至少30%，但预计7月中旬恢复生产。
除了上述突发事件外，另一巨头美光的营收和产能也并不理想。受供过于求的环境以及中美贸易摩擦的影响，美光2019财年Q3季度NAND营收占总营收约31%，营收环比下滑18%，同比下滑25% -年。为了进一步改善市场供需，美光决定将NAND Flash产量削减比例从原来的5%提高到10%，同时还将减少2020年的资本支出。
那么，面对今年NAND Flash产能减少，第三季度开始产品价格会上涨吗？
下跌趋势难以逆转
有人士认为，上述两起事件将对NAND Flash的价格产生影响，甚至预计NAND Flash的价格将上涨10%至15%。
不过，陈杰伟告诉记者：7月份，沟道晶圆报价预计至少上涨10%，但成交价格可能不会上涨那么多。 TrendForce预计2019年NAND ASP将下跌40%。
根据TrendForce内存储存研究（DRAMeXchange）评估，东芝事件将使晶圆短期报价面临涨价压力。第三季度2D NAND Flash产品价格可能上涨，3D NAND Flash跌幅可能小幅收敛。其中，对2D NAND产品的影响更为明显。由于东芝四日市工厂仍是市场重要供应来源，且该类产品库存水平较低，预计第三季度将面临上涨压力。
不过，对于基于3D NAND架构的eMMC/UFS、SSD等主流产品来说，在买卖双方高库存的支撑下，第三季度合约价下跌趋势不会逆转，但跌幅可能会小幅下降。减少。晶圆(wafer)及渠道零售市场，由于西部数据相当大的市场影响力以及美光宣布扩大减产，加上今年市场长期承受接近成本线的压力，集邦咨询行情预计带来短期上行压力，预计四季度合同价格将持平或小幅走低。
另一方面，中国本土的长江存储也在扩大产能。据悉，长江存储预计将于2019年底在其武汉存储基地量产64层3D NAND。长江存储正在武汉建设一座耗资240亿美元的半导体工厂。虽然与国际大厂相比，长江存储的64层3D NAND仍然落后，产能也不大，但差距正在迅速缩小，这也会对NAND Flash市场的价格产生影响。
2017年，随着闪存等存储芯片价格持续上涨，一度引发包括手机、固态硬盘、内存条等产品的一系列涨价。直到2018年，供需关系发生变化，闪存价格持续下跌，2019年跌势仍在继续。
韩国半导体工业协会相关报告显示，2019年2月，8GB系统内存DRAM（动态随机存取存储器）全球市场单价为5.9美元，较2017年同期下降36.8%，而128GB闪存内存NAND Flash全球市场单价为5美元，较去年同期下降25.2%。
总体来看，由于库存过多，今年NAND Flash产品价格下滑趋势难以扭转，但跌幅可能会收窄。
