西部数据宣布与Kioxia联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代，堆叠数达到162层，并将于今年投入量产。
目前的3D NAND闪存已经达到176层，美光最近宣布在全球率先达到232层。
不过，西数指出，自家的162层闪存单元尺寸较小，仅为68平方毫米，比竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米还要小。因此，存储密度更高，可以提供与竞品相同的单芯片容量。
西部数据表示，采用BiCS6 162层堆叠，一颗晶圆可以实现100TB的容量，但目前只有70TB左右。
性能方面，西部数据声称拥有最好的电荷捕获单元，性能高达60MB/s，比对手快一半。
西部数据还预览了下一代BiCS+闪存，其堆叠层数超过200层。预计将带来传输速度提升60%、编程带宽提升15%、晶圆产能提升55%。到2032年左右，它将继续堆积起来。超过500层！
另外，西部数据在PPT上海上列出了PLC闪存，但没有详细信息。
