中科院在科技领域取得的新突破最终是好坏参半，10年的技术差距无论如何都要赶上。
虽然中科院在5nm光刻机上取得了重大突破，但并不意味着完全可以制造芯片。此外，中科院官网发布了苏州纳米所等在超高精度激光光刻技术研究方面取得重大进展的报道。该团队开发了一种新的三层堆叠薄膜结构，可以实现5纳米的特征线宽。
中科院在科技领域取得的新突破最终是好坏参半，10年的技术差距无论如何都要赶上。
虽然中科院在5nm光刻机上取得了重大突破，但并不意味着完全可以制造芯片。此外，中科院官网发布了苏州纳米所等在超高精度激光光刻技术研究方面取得重大进展的报道。该团队开发了一种新的三层堆叠薄膜结构，可以实现5纳米的特征线宽。
但我们需要清醒地认识到，我国自主制造的光刻机还停留在90nm节点，只能生产90nm芯片，但ASML已经可以生产5nm芯片。这些阶段之间有几个阶段。有人说产量低是10年前的技术。
但很多人都不是很清楚，所以觉得现在已经被针对的华为还有救了。现实不然，如果华为真的采用国产90nm芯片产品，那么华为就真的会沦为低端机了。在这种体验大于情感的趋势下，华为不会有任何优势。
但这项技术的突破是令人欣喜的。毕竟，光刻技术的进步也代表着国内技术的进一步实力。
很多人对芯片领域既熟悉又陌生。熟悉的是它的名字，却陌生的是它的起源、发展和作用。
芯片是一种集成电路。从20 世纪30 年代开始，元素周期表中的半导体被贝尔实验室的William Shockley 等研究人员认为是最有可能的固态真空管原材料。从氧化铜到锗，再到硅，原材料在20 世纪40 年代和20 世纪50 年代被系统地研究。如今，尽管砷化镓等元素中期表中的一些III-V价化合物用于特殊应用，例如：发光二极管、激光器、太阳能电池和最高速集成电路，但单晶硅已成为集成电路的主流基板。制造无缺陷晶体的方法花费了数十年的时间。
可见，芯片的研究过程是漫长的，不可能一蹴而就。
1947年12月23日，第一个晶体管在贝尔实验室诞生。从此，人类进入了飞速发展的电子时代。埃尔比提出了一个大胆的想法：电阻器、电容器、晶体管和其他电子元件可以放置在单个半导体芯片上吗？这样，整个电路的尺寸就会大大减小，因此基尔开始尝试一种称为相位转换振荡的方法。该设备的简单集成电路。
1958年9月12日，基尔比研制出世界上第一块集成电路，成功实现了在一块半导体材料上集成电子器件的构想，并通过了德州仪器高级管理人员的考察。
我国芯片的首次成就是在1965年，我国第一块硅基数字集成电路研制成功； 2000年至2011年，我国进入集成电路产业加速发展时期；自2012年发展以来，我国进入集成电路高质量发展时期。
但我国整体芯片技术与国际水平还有一定差距，需要人才进行研发。
前面提到的华为的情况是因为这两年的情况。华为现在是世界一流的手机制造商，主要受到海外竞争对手的制裁。虽然华为目前相当大力地研发自己的芯片，但事实上，我国芯片处理器的水平还停留在90nm。目前，各国仍需要美国的技术支持来制造5纳米芯片。如果台积电和联发科无法为华为提供芯片生产，华为将进入发展的艰难时期。
如今，OPPO、小米等其他主流手机厂商都具有相对一定的优势。
对此，OPPO也开始加入自研芯片的队列。与在其他芯片研究方面有一定经验的华为相比，OPPO仍需要投入大量的人力、财力、物力。但为了保证自己稳定的销售市场和销售能力，OPPO必须步入自研芯片的队列。其次，OPPO本身就是一家科技公司。我们通过OPPO推出的手机就可以发现这一点，这在拍照、充电等多个方面都能体现出来。
在科技高速发展的时代，很多行业都注重发展自身的技术能力，以避免受到各方面的阻碍。我相信，我们在科技领域的成就一定会突飞猛进，取得别人无法预料的成果。
