大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于中美科技创新哪个好的问题，于是小编就整理了1个相关介绍中美科技创新哪个好的解答，让我们一起看看吧。
国产芯片可以做到7纳米。设计可以到3纳米。明后年7纳米可量产。5纳米3纳米可能要几年。但问题是7纳米可满足我国百分之95以上工业军工业的需要！
不能较全世界（主要是美西方）就差那么一丁点儿就自卑。也不能因我国有54项领先世界（与世界持平相当的就更多）而自傲。
要实事求是。我们还是发展中国家，不能事事都领先世界。就是以后大多数绝大多数领先世界，也还有某些资源要靠其它国家。还有我国是安理会常任理事国，有为世界其他国家维持公道，造福帮助第三世界的任务。
这个问题问得好。
国产芯片落后了多少，从一些事件就能看出。
前段时间，英特尔爆出了芯片漏洞，X86和ARM都受到了影响，而我们的龙芯则发表声明表示不受漏洞影响。为什么呢？因为龙芯根本不支持漏洞所需要的技术。
同样是前段时间，网上流传着紫光的内存条，一开始的DDR3大家说这是奇梦达当年倒闭时前的最后作品，后来的DDR4被证明用的是海力士的颗粒。而紫光自己到底有没有能力生产出内存颗粒一直是个迷。有的说下半年紫光就能生产出自己的DDR4颗粒，但目前来看紫光高层有波动，能否如期完工还是个问号。
然后就要说说我们Al芯片的骄傲寒武纪了。这个芯片商商很奇怪，他们的官网没有任何性能介绍，要知道就算是挖矿用的矿机芯片和顶级的FPGA芯片也都有性能介绍。而衡量Al芯片性能的参数就是半精度计算和深度计算能力，这些参数很普通，根本不是什么机密，那么他们为何不展示呢？
最后，我们的代工业务，中芯国际的核心业务是28nm工艺，14nm正在研制。而英特尔在2009年就成功操作出了同级别的32nm工艺。
我想从这几件事就能看出，我们落后人家至少十年！至于赶超，现在我们要什么没什么，难道要用口号去赶超？如果真能静下心来，十几年的差距也不是那么容易赶上的。我想等到二十一世纪中叶，我们应该能赶上去。
不要老是盯着光刻机，国产芯和美国芯的真正差距还是在专利和标准上！
许多人认为中国的芯片制造工艺不行，的确目前国产的光刻机只能达到90nm的精确度，国内最好的芯片代工厂中芯国际的工艺水平也只在28nm-14nm之间。但是芯片厂商完全可以找技术先进的代工厂，例如华为的麒麟970和苹果手机的芯片都是让台积电代工。从芯片制造环节本身来说，芯片制造属于产业链的下游，中国和美国都是外包的。
但是在上游的专利和标准上，由于历史原因（计算机是美国人发明的、集成电路行业也是发源于美国），基本上都掌握在美国以及它的盟友手上。例如Intel 在x86 框架指令集中就有着大量的专利作为自己的专利壁垒，其他国家如果没有专利授权的话去研发一款能运行Windows的自主CPU是绝无可能的。
同样在移动芯片领域中，ARM也占据了专利的上风。ARM本身不生产芯片，只是设计芯片的架构，靠着技术授权给其他半导体制造商就可以数钱数到手抽筋。
所以芯片行业的竞争不仅是技术的竞争、资本的竞争，根子上比的是谁先占领了某个技术高地，在市场上形成了标准，然后用专利筑起高墙。后来者只能乖乖地先交一笔高额的入场费才带你玩，而且还不能越界，否则马上使用法律武器打侵权的官司。
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